RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想される。本研究では、RF-MBE法により(111)Si基板上にIn/(In+Ga)フラックス比および成長温度を変化させてInGaNナノワイヤの成長を行った。成長温度を固定した場合、Inフラックス比が大きくなるほどナノワイヤにおけるIn組成の増大とともにフォトルミネッセンス(PL)ピーク波長は長波長側へシフトした。また、成長温度が高くなるにつれて、PLピーク波長は短波長側へシフトし、PL強度は大きくなった。これは成長温度が高くなるにつれてInの脱離が多くなったこと、およびInGaNナノワイヤの結晶性が向上したことが原因として考えられる。しかし、PLスペクトルの温度依存性からInGaNナノワイヤの内部量子効率を見積もると18%程度であった。これはSTEM像において確認された積層欠陥が原因の1つに挙げられる。

• 2011-05-12

著者

• 本田 善央

  名古屋大学

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 白 知鉉

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 白 知鉱

  名古屋大学工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 田畑 拓也

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻、赤崎記念研究センター

• 田畑 拓也

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学

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