Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 (電子部品・材料)

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概要

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• 2012-05-17

著者

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 谷川 智之

  名古屋大学工学研究科

• 久志本 真希

  名古屋大学大学院工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

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