(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• MOVPE法により(1-101)GaN/Si上にInGaN厚膜の成長を試みた。InGaNを成長するとGaNにみられた原子ステップは消失し、三次元成長が促進されていることを確認したが、c面によくみられるV字ピットは現れず、10nm以下の平均粗さを有する平坦性の比較的優れた結晶であることが分かった。X線逆格子マッピング測定よりInGaN結晶の格子緩和過程を観察すると、2段階の緩和過程が観察された。低In組成ではコヒーレント成長していたのに対し、In組成が増大するにつれまずc軸方向へのチルトが見られた。これは格子不整合により界面にミスフィット転位が導入されることに起因すると思われる。In組成が高くなるについてミスフィット転位の間隔が狭くなりチルト角度が増大した。<11-20>方向においては面内の格子緩和のみ発生した。

• 2011-05-12

著者

• 本田 善央

  名古屋大学

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 天野 浩

  名城大学 理工学部材料機能工学科

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 谷川 智之

  名古屋大学工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学工学部

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学

• 天野 浩

  名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 赤崎記念研究センター

• 谷川 智之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学大学院工学研究科

• 天野 浩

  名古屋大学

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