Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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(111)Si基板上へのGaN/Al_xGa_1-xN六角錐ピラミッド列の選択MOVPE成長を行った。GaNピラミッド構造に混晶薄膜を堆積させたところ、Al_xGa_1-xNの組成はファセット上で異なり、ピラミッド構造の先端部分ではAl組成が高い傾向にあった。これは、ファセット上でのGaとAlの関する化学種の拡散長の差異によるものと解釈される。また堆積させる薄膜をAlNとした試料のC面における4.2KのCLスペクトルでは、波長218nmにAlNに起因すると考えられるピークが観測されたが、C面上には六角錐構造の幾何学的形状を反映するピット列が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
本田 善央
名古屋大学
-
山口 雅史
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
-
加藤 友将
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
-
鳥飼 正幸
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻
-
澤木 宣彦
赤崎記念研究センター
-
山口 雅史
名古屋大学
-
鳥飼 正幸
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
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