MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六法晶GaN微細構造の作製と制御
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概要
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MOVPE選択成長法(SAG)によるシリコン基板上への六法晶GaNのストライプ構造、埋め込み構造、並びに六角錐ピラミッドの作製について述べた。(1-101)ファセットとC面で囲まれたこれらの結晶の品質は一面成長によるものより良質であること、GaN量子細線や量子ドットをSi基板上に形成することができることを明らかにした。高品質の結晶を得るためには成長初期の成長核の形成過程、すなわち、異種材料上へのヘテロエピタキシにおける緩衝層の形成条件を整えることが重要であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-10
著者
-
本田 善央
名古屋大学
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
-
川口 靖利
名大・工
-
川口 靖利
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
山口 雅史
名古屋大学
-
大竹 洋一
名古屋大学 工学研究科 電子工学専攻
-
大竹 洋一
名古屋大学工学研究科電子工学専攻
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