(001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si 7°off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法により GaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平担性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-16
著者
-
本田 善央
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
-
亀代 典史
名古屋大学院 工学研究科 電子工学専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
山口 雅史
名古屋大学
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