HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
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概要
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HVPE法によるGaNバルク単結晶の作製において、選択成長法を用いることによる高品質化を試みた。SiO_2マスクを用いるGaN成長の選択性は非常に良好で、クラックの見られない結晶性が良好なGaNgaが得られた。またSiO_2マスク上へのGaNの横方向成長では、<112^^-0>方向への成長速度が速いことが分かった。このovergrowth部分のCLは窓部上よりも大きいことが分かった。高品質GaNを得るためには、初期成長領域を小さくして歪みを緩和すること及びマスク上への横方向成長が有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
矢橋 勝典
名古屋大学工学部電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
柴田 巧
名古屋大学工学部電子工学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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