パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)

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概要

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• 同一の(001)GaAs基板上に幅の異なるストライプ構造を形成した後に,分子線エピタキシー(MBE)法によりGaAs/AlGaAs量子井戸構造を成長すると,ストライプ幅の違いにより成長したGaAs井戸幅に違いが現れる.この成長機構を用いることにより,結合量子ディスク構造を作製することを試みた.電子線露光法とウェットエッチングにより大きさの異なる四角形を細いストライプで繋いだ形状に加工した(001)GaAsパターン基板上に,MBE法を用いてGaAs/AlGaAs量子井戸構造を作製した.作製した結合量子ディスク構造においてカソードルミネッセンス測定を行った結果,ディスクの大きさの違いによりディスク上に成長した量子井戸からの発光波長が異なることが確認され,小さなディスクにおける量子井戸からの発光波長が大きなディスクにおける発光波長よりも短くなった.このことは,小さいディスク上の結晶が{411}ファセットのみで囲まれる構造を形成したことにより,ファセット上に成長した薄い量子井戸構造からの発光波長が大きいディスクの(001)面の量子井戸構造からの発光波長と異なっていることが原因として考えられる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-01-22

著者

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻

• 樋口 恭明

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 西本 宜央

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 樋口 恭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学

• 西本 宜央

  名古屋大学大学院工学研究科

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