MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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我々はこれまでに、シリコン基板上へMOVPE選択成長によりGaN/AlN六角錐構造を作製してきた。しかしながら、形状の均一性について問題があり、これは中間層として用いたAlN成長核の不均一が原因であった。AlNの成長時間を変化させ、GaN/AlN六角錐構造の均一性を評価したところ、AlN中間層膜厚の薄いところでは比較的均一なGaN/AlN六角錐構造が得られた。中間層の薄膜化は同時に、Si-GaN界面での電流-電圧特性を改善させることが可能であり、フィールドエミッタデバイス等の応用に極めて有効であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-06
著者
-
本田 善央
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
-
中村 剛
名古屋大学大学院工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
山口 雅史
名古屋大学
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