選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

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概要

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• 格子型マスクパターンを用いた選択MOVPEにより(111)Si基板上へGaN単結晶の成長を行った。その結果、格子の端部ではリッジ成長が認められたが窓部にクラックフリーのGaNが作製可能であった。(0004)X線回折曲線の半値幅は388sec、77KにおけるPLのバンド端発光の半値幅は18.6meVと狭く、選択成長によりGaNの結晶性は大きく改善された。一方、GaN/A1GaN/Si界面のI-V特性は低抵抗のオーミック特性を示し、光電流スペクトルはA1GaN/Si界面付近にアモルファスSi層と思われる変成層が存在することを示唆していた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-05-16

著者

• 本田 善央

  名古屋大学

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山口 雅史

  名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター

• 澤木 宣彦

  愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻

• 山口 雅史

  名古屋大学工学研究科

• 本田 善央

  名古屋大学工学研究科

• 黒岩 洋佑

  名古屋大学工学研究科電子工学専攻

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 山口 雅史

  名古屋大学

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