MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
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概要
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InGaNは主にGaN上に成長されている。しかし、GaN上では臨界膜厚以上になるとInGaNの表面が荒れてくるため、厚いInGaN膜を成長するのは困難である。本研究ではサファイア基板上にAlNバッファ層を堆積させ、その上に成長することにより厚く、平坦なInGaN膜を得ることができた。GaN上への成長では、成長初期においてはInGaN中のInモル分率は小さいが、臨界膜厚以上ではInモル分率は増加し、AlNバッファ層上に成長したInGaN膜のInモル分率に近づく。GaN上への成長で成長初期においてInモル分率が小さくなったのはInGaNとGaNの間の格子定数差による歪みを軽減するためであると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
川口 靖利
名大・工
-
川口 靖利
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
平松 和政
名古屋大学工学部電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
清水 誠也
名古屋大学工学部電子工学科
-
沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
-
清水 ヨ也
名古屋大学 工学部 電子工学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大
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