Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
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概要
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選択有機金属気層エピタキシャル成長(MOVPE)法によりSi(111)基板上GaN台形ストライプ構造上とGaN/AlGaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。ストライプ構造は(11^^-01)ファセットと(0001)面からなる。AlGaN混晶層の4.0KにおけるCLスペクトルには複数のDAP発光が観測された。その特性は混晶層の厚みによって変化し、ヘテロ界面の歪みが成長モードあるいは不純物の取り込みを変えていることを示唆した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
本田 善央
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
山口 雅史
名古屋大学、大学院工学研究科・赤崎記念研究センター
-
澤木 宣彦
愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻
-
山口 雅史
名古屋大学工学研究科
-
本田 善央
名古屋大学工学研究科
-
成田 哲生
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
-
加藤 友将
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
山口 雅史
名古屋大学
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