ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
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概要
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W/n-GaN接合の電極特性の評価とELOによるWN_xマスクの埋め込み構造の作製を行った。W/n-GaN接合はWの蒸着温度の上昇とともに良好なショットキー特性を示した。この接合をH_2、N_2+H_2処理では、Wが粒界化し、GaN表面上にGaN針状結晶(whisker)が認められた。NH_3+H_2処理では、WがWN_xとなっており、WN_x/n-GaN接合はショットキー特性を維持した。また、WN_xをマスクに用いたELOを行ったところ、触媒作用によるGaNの分解が減少し、良好な埋込み構造を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-11
著者
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
灰野 正紘
三重大学工学部電気電子工学科
-
山口 元男
三重大学工学部電気電子工学科
-
元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
-
家近 泰
住友化学工業(株)つくば研究所
-
前田 尚良
住友化学工業(株)つくば研究所
-
灰野 正絋
三重大学工学部電気電子工学科
-
家近 泰
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
-
前田 尚良
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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