減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
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概要
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SiO_2のストライプマスクを用いたGaNの選択成長における結晶形態のリアクタ圧力効果を温度との関係により調べた。下地GaN<11---00>方向に沿ったストライプパターンでは、温度を上げるまたは圧力を下げることで、側面が{112---2}面から{112---0}面に変化した。またリアクタ圧力の低下とともに、縦方向成長速度は減少し、横方向成長速度が増大した。一方、<112---0>方向に沿ったストライプパターンでは、圧力や温度とは無関係に側面は{11---01}面で終端され、横方向及び縦方向成長速度は一定であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
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