FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
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概要
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減圧MOVPEを用いたELOでGaNのファセットは、リアクタ圧力・成長温度により制御される。我々はこのファセット制御技術を用いて転位の伝搬を制御する成長法、FACELO(ファセット制御ELO)を提案している。2種類のFACELOでGaNの低転位密度化を試みた。第1に{112^^~0}ファセットからのELOでは、転位が窓部を貫通し、マスク上で低転位になる。第2に{112^^~2}ファセットからのELOでは、転位がマスクの中央にだけ存在し、窓部で低転位になる。後者のFACELOでは、ファセット制御による転位の伝搬制御とVoidによる転位の終端効果が得られ、これによりGaNの転位密度を10^6-10^7cm^<-2>に再現良く大幅に低減することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-11
著者
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
-
家近 泰
住友化学工業(株)つくば研究所
-
前田 尚良
住友化学工業(株)つくば研究所
-
家近 泰
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
水谷 広光
三重大・工
-
西山 克哉
三重大・工
-
水谷 広光
三重大学工学部電気電子工学科
-
西山 克哉
三重大学工学部電気電子工学科
-
前田 尚良
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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