凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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深紫外域用の受発光デバイスにおいて、高AlNモル分率かつ低転位密度AlGaN膜が必要である。連続な斜面凹凸のあるエピタキシャルAlN基板を下地として用いて、減圧MOVPE法によりAlGaNを成長し、表面全面で転位密度の低減を行った。得られたAlGaNはクラックフリーで、AlNモル分率は0.51であり、AFM像から表面で明瞭な原子ステップを確認することができた。またCL測定からAlGaNの転位密度は8.8×10^7であり、従来の平坦なAlNエピタキシャル基板を下地として用いたAlGaNよりも転位密度は2桁程度低減した。以上より連続な斜面凹凸のあるエピタキシャルAlN基板を下地とすることによりAlGaNの転位密度低減が可能であるといえる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
柴田 智彦
日本ガイシ
-
大西 孝
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
桑野 範之
九州大学産学連携センター
-
原口 雅也
九州大学総合理工学府
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
劉 玉懐
三重大学工学部電気電子工学科
-
石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
-
劉 玉懐
三重大学SVBL
-
柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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