MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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C面サファイア基板上に製膜した高品質なAlNエピタキシャル膜を下地とすることにより、従来法より高品質なGaNエピタキシャル膜を成膜出来ることを確認した.GaNエピタキシャル膜はX線ロッキンカーブの半値幅FWHMが(0004)、(20-24)に対して61、232arcsec、C面サファイア基板上AlNエピタキシャル膜は表面平坦性が良好でX線ロッキンカーブの半値幅FWHMが(0004)、(20-24)に対して44arcsec、1450arcsecである.高品質AlN/サファイア基板は電子あるいは高効率発光デバイス用の窒化物エピタキシャル基板として期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-16
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
柴田 智彦
日本ガイシ
-
小田 修
日本ガイシ株式会社
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
平松 和政
三重大 工
-
三宅 秀人
三重大学 工学部
-
平松 和政
三重大学 工学部
-
坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
-
坂井 正宏
日本ガイシ株式会社
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
小田 修
日本ガイシ(株)
-
平松 和政
三重大学 大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学 大学院工学研究科
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