Si基板上GaNの暗点密度観察
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概要
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MOCVD法により、シリコン(111)基板上にGaNの成長を行った。AlN/AlGaN中間層を用いることにより、その格子定数差や熱膨張整数差にかかわらずクラックのない、鏡面の良好な結晶が得られた。また、4.2KにおいてPL測定を行なったところピーク値の半値幅はnon-dopedのもので8.8meV、Siをドープしたもので10.1meVとシリコン基板上GaNとしては最も狭い値であり、光学的に高品質であった。また、EBICによる暗転密度観察を行うためにショットキーダイオードの作製を行った。オーミック電極にはTi/Al (250/1500Å)、ショットキー電極にはPt/Ti/Au (100/400/1000Å)を用いた。Ti/Al電極はRTA処理を行ったことで良好なオーミックを示した。作製されたショットキーダイオードはn値が1.31、障壁高さが1.18eV、イオン化ドナー密度が6〜7×10^<17>cm^<-3>であった。次にEBICによる暗転密度観察及び溶融KOH法によるエッチピット観察を行った。EBICによる暗転密度は表面より0.2μmの深さで6×10^9cm^<-2>、0.6μmの深さで5×10^9cm^<-2>であった。エッチピット密度は7×1O^9cm^<-2>であった。これらの値はサファイア基板上のものと比較すると30倍程度大きな値であるが、信頼性のある発光デバイスの作製が可能であると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
中路 雅晴
名古屋工業大学電気情報工学科
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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