Si基板上GaN系発光ダイオードの結晶成長及び諸特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Si(111)基板上InGaN系重量子井戸(multiple-quantum-well:MQW)緑色発光ダイオード(light-emitting diodes:LED)について報告する.MOCVD法でAl_0.27Ga_0.73N/AlN中間層を用いてMQW LEDを成長した.Si基板上LEDは駆動電圧7Vで,直列抵抗は100Ωであった。また,光出力は注入電流が20mA時に20μWであった。
- 2002-02-15
著者
-
西川 直宏
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
張 佰君
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
中部大学工学部電子工学科
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
梅野 正義
中部大学工学部
-
西川 直宏
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
関連論文
- Si基板上GaN系発光ダイオードの結晶成長及び諸特性
- 高熱伝導窒化ケイ素の熱衝撃特性評価
- C-4-34 Si基板上InGaN MQW LEDの作製
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
- 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
- セラミックス円板の水中急冷熱衝撃試験
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 拘束したスラブの一面加熱によるセラミックスの熱破壊じん性の測定
- 急冷されるセラミック円板の熱応力解析
- 反力測定を利用した急速加熱熱破壊試験法における温度分布の相関式と熱応力の算出(セラミックスの合成と評価)
- 一定熱流束で加熱されるセラミック円板における熱応力の相関式 : 熱応力に及ぼす物性値の温度依存性の影響
- 円板急熱法におけるセラミックの熱衝撃破壊
- 一定熱流速で加熱されるセラミック円板における破壊の損傷評価
- 拘束されたセラミックススラブの一面加熱による反力と熱応力
- 一定熱流束で加熱されるセラミック円板の非定常温度分布及び熱応力履歴
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- セラミックスの耐熱衝撃性評価 : 急冷液のいわゆる熱伝達係数の温度依存性について
- 等方性黒鉛の破壊力学特性に及ぼす酸化の影響(セラミックス)
- 急冷媒体による多孔体の熱衝撃時の熱応力 : 熱応力分布に与える浸透の影響
- アルミナマトリックスナノ複合体の高強度化機構
- 遠心モールド法による中空円筒傾斜機能材料の開発
- 作動温度下での多孔質ランタンストロンチウムマンガナイトの機械的および電気的特性(セラミック材料)
- 3D17 アルミナ/金属ナノ複合材料の高靱化機構と残留熱応力解析
- 1E24 中空円筒傾斜機能材料の残留応力解析
- 新規な作製法による円筒型アルミナ/ジルコニア傾斜材料(セラミックスインテグレーション)
- 1K17 SEVNB 法によるき裂先端損傷域の間接的評価
- 多孔質アルミナの力学特性に及ぼす気孔率および気孔形態の影響(セラミック材料)
- 多孔質ジルコニア-ニッケル複合材料の作製と特性評価(セラミック材料)
- 熱応力緩和形傾斜機能材料平板の熱衝撃時の温度・熱応力解析
- モードI-II混合モード脆性破壊のクライテリオン
- 応力緩和型傾斜機能平板の熱衝撃時の温度分布
- 水中急冷時の強度低下に関する統計的解析
- 物性値の温度依存性を考慮した熱応力/応力拡大係数解析 : 円板に一定熱流束を与える場合
- アルミナ-マグネシア系の分子動力学シミュレーションにおけるポテンシャルモデルパラメーター
- セラミック多孔体の熱拡散率測定の標準化
- トリイソプロパノールアミン添加による製鋼スラグの水和硬化促進
- 335 トリエタノールアミン・トリイソプロパノールアミン添加による製鋼スラグの水和硬化促進
- 4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- セラミックスの熱衝撃試験における臨界急冷温度差に及ぼす物性値の温度依存性の影響
- セラミックスの熱衝撃試験時のいわゆる熱伝達係数の温度依存性について
- セラミックスの熱衝撃試験時の熱伝達について
- 水中急冷法によるアルミナ焼結体の熱疲労挙動(セラミック材料小特集号)
- セラミックス熱衝撃円板の温度依存物性を考慮した温度/応力分布の解析
- ムライト/モリブデン複合材料の無加圧焼結
- 圧電セラミックスの繰り返し疲労特性について