AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
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概要
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質量の重い亜鉛イオンをGaNエピ膜のc軸方向に沿って注入することで高抵抗層を形成した。最大のシート抵抗およびその試料の活性化エネルギーはそれぞれ3E13Ω/sq、0.67eVで非常に高い値が得られた。しかし、500℃より高い熱処理を行うとシート抵抗が急激に減少し、活性化エネルギーも小さくなった。さらにAlGaN/GaN HEMTの素子分離に適用し、GaNエピと同様の高いシート抵抗(6.0E11Ω/sq)と良好なトランジスタ特性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-03
著者
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
尾関 龍夫
三菱電機
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尾関 龍夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
三浦 成久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
南條 拓真
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機(株)
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江川 孝志
名古屋工業大学
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阿部 雄次
三菱電機先端総研
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神保 孝志
名古屋工業大学
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南條 拓真
三菱電機
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吹田 宗義
三菱電機
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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