吹田 宗義 | 三菱電機
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
吹田 宗義
三菱電機
-
南條 拓真
三菱電機
-
阿部 雄次
三菱電機先端総研
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
尾関 龍夫
三菱電機
-
尾関 龍夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
三浦 成久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
南條 拓真
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
吹田 宗義
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
阿部 雄次
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
今井 章文
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
今井 章文
三菱電機
-
柳生 栄治
三菱電機
-
蔵田 哲之
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
柳生 栄治
三菱電機株式会社
-
南條 拓真
三菱電機株式会社
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
今泉 昌之
三菱電機先端技術総合研究所
-
徳田 安紀
三菱電機株式会社先端技術総合研究所:光産業技術振興協会
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
-
大塚 健一
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
今泉 昌之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
遠藤 康行
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
徳田 安紀
三菱電機
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
今泉 昌之
三菱電機 先端技総研
-
大石 敏之
三菱電機
-
青柳 克信
理化学研究所
-
青柳 克信
理化学研究所・東京工業大学
-
布下 正宏
三菱電機(株) 半導体基礎研究所
-
吉新 喜市
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
武内 道一
理化学研究所
-
布下 正宏
三菱電機株式会社半導体基礎研究所
-
布下 正宏
三菱電機(株)半導体基礎研究所
-
井須 俊郎
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
吉新 喜市
三菱電機先端技術総合研究所
-
吉新 喜市
三菱電機
-
井須 俊郎
三菱電機(株)半導体基礎研究所
-
杉本 博司
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
武内 道一
理化学研究所・東京工業大学
-
吉新 喜市
三菱電機 先端技総研
著作論文
- Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT
- AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上
- AlGaNチャネルによるトランジスタの高耐圧化 (特集 高周波・光デバイス)
- 注入ドーピングによるGaNトランジスタの高性能化 (特集 利用される宇宙)
- VI族水素化物とII族金属とを原料としたII-VI族化合物のガスソース分子線エピタキシー
- 青色レーザ用II-VI族半導体のガスソースMBE成長