阿部 雄次 | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所

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著作論文

• Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT
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• GaAs pHEMTのICTS測定(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

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