Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT
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概要
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- 2009-03-09
著者
-
今井 章文
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
吹田 宗義
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
阿部 雄次
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
吉新 喜市
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
阿部 雄次
三菱電機先端総研
-
徳田 安紀
三菱電機株式会社先端技術総合研究所:光産業技術振興協会
-
吉新 喜市
三菱電機先端技術総合研究所
-
吉新 喜市
三菱電機
-
徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
-
南條 拓真
三菱電機
-
徳田 安紀
三菱電機
-
今井 章文
三菱電機
-
吹田 宗義
三菱電機
-
柳生 栄治
三菱電機
-
吉新 喜市
三菱電機 先端技総研
-
大石 敏之
三菱電機
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