C<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>/H<SUB>2</SUB>混合ガスを使用したIII-V族化合物半導体の反応性イオンエッチング

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概要

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• Mixtures of ethane and hydrogen are used as etching gas in order to etch InP, InGaAs and GaAs in reactive ion etching. Smooth surfaces and excellent vertical sidewalls have been obtained by choosing the optimum etching parameters. Etch rates obtained are 72 nm/min for InP, 32 nm/min for InGaAs and 20 nm/min for GaAs, respectively. The etch rates are found to be independent of the etching time.

• 日本真空協会の論文

著者

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 松井 輝仁

  三菱電機株式会社生産技術センター

• 杉本 博司

  三菱電機株式会社中央研究所

• 大塚 健一

  三菱電機株式会社中央研究所

• 松井 輝仁

  三菱電機株式会社中央研究所

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社中央研究所

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