LOCOS分離の限界とトレンチ分離の問題点
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
-
C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
-
n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
-
AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
-
AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
-
ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD-2000-69 サブ0.1μmCMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
-
ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1 μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
-
ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
-
高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
-
シミュレーションを用いた超微細トレンチ分離開発
-
Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
-
Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
-
C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT
-
AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上
-
AlGaNチャネルによるトランジスタの高耐圧化 (特集 高周波・光デバイス)
-
注入ドーピングによるGaNトランジスタの高性能化 (特集 利用される宇宙)
-
LOCOS分離の限界とトレンチ分離の問題点
-
GaN HEMTの半物理的非線形回路モデル (特集 高周波・光デバイス)
-
C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C2H6/H2混合ガスを使用したIII-V族化合物半導体の反応性イオンエッチング
-
C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-2-29 トラップを考慮したGaN on Si大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
-
C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
-
C-2-10 GaN HEMTを用いた5.8GHz帯シングル-シャント型整流器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
-
AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
-
AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
-
短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
-
CT-1-5 TCADシミュレーションを用いたGaN HEMTの半物理的非線形回路モデル(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)
-
C-2-23 5.8GHz帯シングルーシャント形GaN HEMT整流器の試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
-
C-10-1 ソースフィールドプレートGaN HEMTのドレインソース間容量とドレイン抵抗のトレードオフの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-2-37 短ゲート化によるSSPS用GaN HEMT増幅器の高効率化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
-
C-10-6 波形整形理論に基づくGaN HEMT設計手法の提案
-
CS-3-2 高周波増幅器の設計におけるシミュレータ利用の実際(CS-3.マイクロ波回路設計におけるシミュレーション技術の応用と将来動向,シンポジウムセッション)
-
AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク