短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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概要
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SSPS(Space Solar Power Stations/System)向けGaN HEMT高効率増幅器について報告する.25GHzの高い遮断周波数ゲート長0.25μmのGaN HEMTを増幅器に用いた.そのためこのGaN HEMTは2次高調波成分だけでなく3次高調波成分をもつ.電力付加効率(PAE)が最大になるように2次高調波成分と3次高調波成分を処理する整合回路を設計した.試作の結果,周波数5.8GHzで出力電力7W,PAE75%を達成した
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-10
著者
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
津山 祥紀
三菱電機株式会社
-
小山 英寿
三菱電機株式会社
-
小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
山口 裕太郎
三菱電機株式会社
-
吉岡 貴章
三菱電機株式会社 高周波・光デバイス製作所
-
鮫島 文典
三菱電機株式会社 通信機製作所
-
鮫島 文典
三菱電機株式会社
-
吉岡 貴章
三菱電機株式会社
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