C帯220W高効率GaN増幅器(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
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概要
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GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.GaN HEMTは主として100Wを超えるような大出力での利用が期待されているが出力密度に伴い発熱密度も高くなることから高出力に加えて高効率動作が必要となる.今回,C帯にて高調波負荷整合と合成損の低減を考慮した設計を行うことでC帯220W GaN増幅器について2007年に既報の約1.5倍の高効率が得られたので報告する.
- 2012-06-22
著者
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
西原 淳
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)
-
前原 宏昭
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
小坂 尚輝
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
西原 淳
三菱電機(株)通信機製作所
-
川嶋 慶一
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機(株)
-
前原 宏昭
三菱電機(株)
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