C-X帯GaAs-MMIC広帯域電力増幅器
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概要
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広帯域にわたり, 高利得, 高出力を実現するため, 2本のショートスタブを有するプリマッチ回路およびスリット装荷形分配合成構造高出力FETを用いた高出力増幅器を提案する.回路寸法3×6mm^2のGaAs-HFET-MMIC高出力増幅器を試作したところ, 4〜12GHz(比帯域3:1)の広帯域にわたり、CW動作で利得15dB, 出力(P2dB)33dBm, 電力付加効率20〜29%の特性が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
-
塚原 良洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
新居 眞敏
三菱電機株式会社
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
湯川 秀憲
三菱電機株式会社
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社
-
塚原 良洋
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
三菱電機株式会社
-
塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
伊東 康之
宇宙開発事業団
-
湯川 秀範
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
宇宙開発事業団筑波宇宙センタ
-
塚原 良洋
三菱電機 高周波光デバイス製作所
-
塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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