C-2-25 C帯宇宙用オンチップ高調波処理回路内臓100W GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-30
著者
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
塚原 良洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
紫村 輝之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社
-
後藤 清毅
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
塚原 良洋
三菱電機 高周波光デバイス製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
橘高 義典
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
井上 晃
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
三輪 真一
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
山崎 貴嗣
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
谷井 俊彦
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
関連論文
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 基本波および高調波終端負荷を最適化した低位相雑音77GHz MMIC VCO(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
- 携帯端末基地局用100W出力HFET
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- 60GHz帯高出力PHEMT
- 超広帯域L/C切換反射回路MMIC実装型S帯5ビットマルチチップ移相器
- C-2-1 L/C切換回路を用いたS帯マルチチップ5ビット反射型移相器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-38 等損失化超広帯域反射形GaAs-MMIC4ビット移相器
- ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
- ETC用6GHz帯GaAsMMIC送受信フロントエンド
- Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
- C-10-2 バイアス点及び利得圧縮量を変えた場合のF級と逆F級の効率比較
- C-10-1 ナイキスト判別法を用いたマルチセル合成FETの安定性解析
- C-2-20 逆F級増幅器における動作点と高調波位相の関係に関する考察
- C-2-21 F級および逆F級高効率増幅器における入力高調波負荷の影響
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器
- C-2-36 F級及び逆F級HBT電力増幅器におけるIM3解析(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- F級及び逆F級高周波増幅器の効率に関する研究(マイクロ波,ミリ波)
- C-10-4 HBT を用いた携帯電話用高効率増幅器における入力高調波整合の効果
- C-2-30 ドレーンドライブ型送受切り替え方式の受信時損失低減の検討
- C-2-37 並列ダイオードリニアライザを適用したVHF帯10倍帯域低歪40W増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 (マイクロ波)
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 集中定数化C帯MMIC移相器
- 埋め込みPHS構造を用いたX帯動作高出力MMIC増幅器 (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
- ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Ka帯用 高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- MMIC/Super-MIC/MIC組合わせC〜Ku帯2Wバランス形増幅器モジュール
- MMIC/Super-MIC組合せ形C〜Ku帯2Wバランス形増幅器
- C-10-6 デュアルバンドHBT-MMIC用バンド切換スイッチ回路に関する検討
- 集中定数化C帯モノリシック高出力増幅器
- SC-9-1 高出力 GaAs デバイス用低熱抵抗埋め込み PHS 構造
- 温度補償バイアス回路内蔵X帯MMIC増幅器
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-2 高効率高電圧動作バランス型カスコードFET(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-2-8 F級及び逆F級増幅器を合成したDoherty増幅器の設計・試作(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 1.9GHz帯低電圧動作・高効率SAGFET
- 集中定数型C帯低雑音増幅器
- 携帯端末基地局用100W出力HFET
- 携帯端末基地局用100W出力HFET
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 等損失化広帯域反射形移相器
- C-2-32 MICで構成された並列ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-82 負の群遅延時間に対する回路パラメータ依存性の検討(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- パルスRF/パルスI-V測定を用いたGaAs FET評価
- 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
- レイアウトからの部分的バックアノーテーション機能を有するMMIC用CAD
- GaAs MMIC用CADシステム : レイアウトを考慮した設計環境
- 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
- ミリ波帯オンウエハ自動評価システムの開発
- 高調波負荷を最適化した高出力低位相雑音76GHz MMIC発振器(電子回路)
- コプレーナ線路型オンウェハプローブとマイクロストリップ変換部の位相変化解析
- ステップドープチャネルFETの大信号特性解析
- C-2-20 分配合成構造 FET における分配回路の損失と FET 均一動作による利得改善効果の関係
- C-X帯GaAs-MMIC広帯域電力増幅器
- C-X帯GaAs-MMIC広帯域電力増幅器
- C-2-27 C-X帯GaAs-MMIC広帯域電力増幅器
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- C-2-15 温度補償バイアス回路内蔵X帯MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-1 高域安定化回路を用いたX帯高利特低雑音MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 1.9GHz帯移動体通信用送受信一体化GaAs IC ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 動作電圧範囲の広いSCFL-DCFLレベルシフト回路の検討
- 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器
- 単一電源動作K帯低雑音MMIC増幅器
- FET直列装荷形2ビット一体化ローデッドライン移送器
- ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
- ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
- C-2-34 温度補償バイアス回路内蔵X帯MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化
- 基地局用高出力FET (特集 光・マイクロ波デバイス)
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-25 C帯宇宙用オンチップ高調波処理回路内臓100W GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-21 温度補償バイアス回路内臓X帯MMIC増幅器の試作結果(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討