抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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多数のゲートを並列合成した高出力FETの安定化をはかるため、ゲートフィンガーを結線しているフィード部の構造を改善し、GaAsオンチップにFETのセル間抵抗を形成した抵抗装荷型ゲートフィード構造を提案した。安定性解析とレイアウト設計には多数の能動素子間の安定性を包括的に評価できるNDF(Normalized Determinant Funciton)判別法[1,2]を用い、セル間抵抗値の最適化を行なった。本手法により168のゲートフィンガーを並列合成したGaAs FETのゲートフィンガー間で発生する奇モードループ発振を精度良く解析できることを確認し、FETセル間に抵抗性のゲートフィード構造を採用することによる発振が抑制できることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-13
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
藤井 憲一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社
-
細川 義弘
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
藤井 憲一
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機株式会社
-
佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
-
細川 義弘
三菱電機株式会社
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