國井 徹郎 | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

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概要

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関連著者

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社

• 国井 徹郎

  三菱電機株式会社

• 井上 晃

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 後藤 清毅

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社

• 後藤 清毅

  三菱電機株式会社

• 石川 高英

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 石川 高英

  三菱電機株式会社

• 奥 友希

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 石川 高英

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部

• 石川 高英

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 志賀 俊彦

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 志賀 俊彦

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 藤井 憲一

  三菱電機株式会社

• 藤井 憲一

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 宮國 晋一

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 宮国 晋一

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 宮國 晋一

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 天清 宗山

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 天清 宗山

  三菱電機株式会社

• 吉田 直人

  三菱電機高周波光デバイス製作所

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• 河野 正基

  三菱電機株式会社

• 宮國 晋一

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社

• 戸塚 正裕

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 細川 義弘

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 大植 利和

  株式会社 Wave Technology

• 河野 正基

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 細川 義弘

  三菱電機株式会社

• 宮國 晋一

  三菱電機株式会社

• 佐々木 善伸

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 松田 吉雄

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 佐々木 善伸

  三菱電機株式会社

• 佐々木 善伸

  三菱電機(株)高周波光素子事業統括部

• 大植 利和

  株式会社Wave Technology

• 辻 聖一

  三菱電機株式会社

• 鈴木 敏

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 坂本 進

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 藤岡 孝司

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 谷野 憲之

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 宇土元 純一

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 小丸 真喜雄

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 宇土元 純一

  三菱電機高周波光デバイス製作所

• 小丸 真喜雄

  三菱電機高周波光デバイス製作所

• 石川 高英

  三菱電機

• 服部 亮

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 藤岡 孝司

  三菱電機株式会社

• 服部 亮

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 松田 吉雄

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 山本 佳嗣

  三菱電機株式会社

• 山本 佳嗣

  三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 鈴木 敏

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• 松田 吉雄

  三菱電機株式会社 システムlsi事業化推進センター

• 辻 聖一

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 小丸 真喜雄

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 小丸 真喜雄

  三菱電機株式会社

• 谷野 憲之

  三菱電機株式会社

• 宇土元 純一

  三菱電機株式会社

• 鈴木 敏

  三菱電機株式会社

• 北野 俊明

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 中野 博文

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 中野 博文

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 太田 彰

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 南條 拓真

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 中塚 茂典

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 鈴木 敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 宮国 晋一

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 山本 佳嗣

  三菱電機高周波光素子事業統括部

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 服部 亮

  高周波光素子統括部

• 巳浪 裕之

  三菱電機株式会社

• 竹内 日出雄

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 島田 好治

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 巳浪 裕之

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 南條 拓真

  三菱電機

• 井澤 薫

  三菱電機株式会社

• 北野 俊明

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 島田 好治

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 竹内 日出雄

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 服部 亮

  三菱電機株式会社

• 南條 拓真

  三菱電機株式会社

• 西野 有

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 高木 直

  東北大学電気通信研究所

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 高木 直

  三菱電機株式会社

• 半谷 政毅

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 三井 康郎

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 西野 有

  三菱電機情報技術総合研究所

• 半谷 政毅

  三菱電機情報技術総合研究所

• 弥政 和宏

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 三井 康郎

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 太田 彰

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機 情報技総研

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 細川 義弘

  ミヨシ電子株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

• 太田 彰

  三菱電機 高周波光デバイス製作所

• 弥政 和宏

  三菱電機株式会社

• 津山 祥紀

  三菱電機株式会社

• 石川 高美

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 井澤 薫

  株式会社サンエー

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社

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著作論文

• 携帯端末基地局用100W出力HFET
• Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
• C-2-27 吸収型高耐電力GaN FETスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
• C-10-1 ナイキスト判別法を用いたマルチセル合成FETの安定性解析
• C-2-20 逆F級増幅器における動作点と高調波位相の関係に関する考察
• C-2-21 F級および逆F級高効率増幅器における入力高調波負荷の影響
• Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
• C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
• ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
• C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-3 Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• C-2-8 F級及び逆F級増幅器を合成したDoherty増幅器の設計・試作(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• 携帯端末基地局用100W出力HFET
• 携帯端末基地局用100W出力HFET
• 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化
• 基地局用高出力FET (特集 光・マイクロ波デバイス)

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