Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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概要
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AlGaN/GaN HEMTは、次期高出力デバイスとして各機関で開発が活発に行われている。パワー特性の改善にはHEMTのコラプス現象の抑制が有効である。このコラプス現象は、パッシベーション膜との界面におけるトラップを低減すれば抑制可能と考えられている。また、このトラップはSiNなどのパッシベーション膜を成膜する際のプラズマダメージによって増加すると考えられる。一方、我々はプラズマダメージなくSiN膜を成膜できるCat-CVD法(Catalytic CVD)をGaAsデバイスに対し開発してきた。プラズマダメージレスであることから、Cat-CVD法はAlGaN/GaN HEMTに対しても有望である。今回、AlGaN/GaN HEMTに対しCat-CVD法を適用し、Cat-NH_3処理+Cat-SiN膜パッシベーションを行うことで、トラップの低減及び、良好なパルスIV特性と信頼性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
-
奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
志賀 俊彦
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社
-
中野 博文
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
中野 博文
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
志賀 俊彦
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社
-
戸塚 正裕
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社
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