表面洗浄処理がGaAs FETsのデバイス特性に及ぼす影響(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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化合物半導体表面の酸化層は、ゲートラグ、ゲート耐圧およびFET雑音特性をはじめとする各種デバイス特性に影響を及ぼすことが知られている。本論文では、先ず、GaAs FETsの表面洗浄処理の導入として、リセス表面ヘの酸素アッシング処理がGaAs FETsのデバイス特性に与える影響について述べた。そして、酸素アッシング処理を施さないで製造するGaAs FETsにおいて、含窒素化合物系の材料から成る洗浄液を使用したリセス表面への洗浄処理を行って、デバイス特性の変化を調査した。その結果、ゲート電極のショットキー特性の向上効果とともに、InGaAs/AlGaAs系p-HEMTsの雑音特性においては、約0.30dBから0.37dB程度のNF特性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-06
著者
-
北野 俊明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
中野 博文
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
中野 博文
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
芝 哲夫
三菱電機株式会社
-
工藤 昭吉
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
北野 俊明
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
芝 哲夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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