ディジタル可変遅延マクロセル搭載可能GaAs 100K gateゲートアレイ
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概要
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LSIの高速化に伴い, 計測器分野では分解能十ps程度のタイミング調整可能な可変遅延回路に対する要求が高まっている。しかしディジタル回路ではゲート遅延時間の大きさ, ばらつき等によって高分解能の実現が困難である。今回, (1) メッシュ状エアブリッジ, (2) ライジングエッジセレクタ, (3) 放電コントロール遅延回路の3つの新しい技術を用いることによってタイムスパン24.4 ns, 最小分解能12 psのディジタル可変遅延マクロセル搭載可能GaAs 100Kゲートアレイを開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機
-
高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
中野 博文
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
大村 隆司
三菱電機株式会社 半導体基盤技術統括部
-
太田 彰
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
東坂 範雄
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
Shimada M.
Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
-
平間 哲也
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
日坂 隆行
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
中野 博文
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大村 隆司
三菱電機(株)半導体基板技術統括部
-
太田 彰
三菱電機株式会社
-
平間 哲也
三菱電機株式会社
-
平間 哲也
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
島田 征明
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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