60GHz帯高出力PHEMT
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概要
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ミリ波帯、特に60GHz帯での各種通信、レーダ等のシステムムに用いる高出力半導体素子として、Pseudomorphic HEMT(PHEMT)の開発が各所で精力的に進められている。今回我々はPHEMTのゲート幅の最適化による高利得化、高出力化の検討を行い、60GHz帯で出力200mWの良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
星 裕之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
釆女 豊
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
紫村 輝之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
星 裕之
三菱電機株式会社
-
星 裕之
神奈川大学工学部
-
釆女 豊
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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