InP HEMTを用いた低局発電力駆動V帯モノリシックResistiveミクサ
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概要
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ミリ波帯、特に60GHz帯は無線LAN、衝突防止レーダなど実用化へ向けたシステムの開発が盛んである。最近のヘテロデバイスの高性能化によって低雑音増幅器の性能が向上し,ミリ波帯ミクサには広いダイナミックレンジ、また高出力局発信号源の実現の難しさから低局発(LO)電力駆動が求められている。今回我々は、-2dBmの低LO電力で駆動可能なInP HEMTを用いたV帯モノリシックResistiveミクサを試作し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
石田 多華生
三菱電機株式会社
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小島 善樹
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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