AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
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概要
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AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器を開発した。試作に際しては素子構造(シングルヘテロ構造、ダブルヘテロ構造)およびバイアス条件に対する比較検討を行った。その結果、出力特性ではダブルヘテロ構造が有利であること、電子供給層であるAlGaAs層におけるSiプレーナドープの濃度を下げることが、高いドレイン電圧時にキャリア近傍の雑音を低減することに効果的であることを確認した。試作の結果、ダブルヘテロ構造HEMTのSiプレーナドープ濃度を低減したMMIC発振器においてドレイン電圧5.5V、ゲート電圧0V時に発振周波数55.9GHz、発振出力11.1dBm、100kHzオフセットにおける位相雑音-85dBc/Hz、1MHzオフセットにおける位相雑音-103dBc/Hzと良好な特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-22
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
石田 多華生
三菱電機株式会社
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小島 善樹
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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