中野 博文 | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

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• 中野 博文

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 中野 博文

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 奥 友希

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 宮國 晋一

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 志賀 俊彦

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社

• 志賀 俊彦

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 国井 徹郎

  三菱電機株式会社

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  三菱電機株式会社

• 戸塚 正裕

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 宮國 晋一

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 宮国 晋一

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 宮國 晋一

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 加茂 宣卓

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• 宮國 晋一

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• 北野 俊明

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• 芝 哲夫

  三菱電機株式会社

• 工藤 昭吉

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• 北野 俊明

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著作論文

• Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• 表面洗浄処理がGaAs FETsのデバイス特性に及ぼす影響(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

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