国井 徹郎 | 三菱電機株式会社
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概要
関連著者
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国井 徹郎
三菱電機株式会社
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國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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國井 徹郎
三菱電機株式会社
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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後藤 清毅
三菱電機株式会社
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志賀 俊彦
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
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石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
志賀 俊彦
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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天清 宗山
三菱電機株式会社
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社
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佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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山本 佳嗣
三菱電機株式会社
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山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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宮國 晋一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宇土元 純一
三菱電機高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
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三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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戸塚 正裕
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
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吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
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吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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細川 義弘
三菱電機株式会社
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宮國 晋一
三菱電機株式会社
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河野 正基
三菱電機株式会社
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藤井 憲一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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細川 義弘
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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藤井 憲一
三菱電機株式会社
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大植 利和
株式会社 Wave Technology
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大植 利和
株式会社Wave Technology
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河野 正基
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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塚原 良洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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辻 聖一
三菱電機株式会社
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宇土元 純一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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國井 徹郎
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宮國 晋一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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細木 健治
三菱電機株式会社
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細木 健治
三菱電気株式会社光マイクロ波デバイス開発研究所
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細木 健治
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松田 吉雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業化推進センター
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辻 聖一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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天清 宗山
三菱電機高周波光デバイス製作所
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後藤 清毅
三菱電機高周波光デバイス製作所
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志賀 俊彦
三菱電機高周波光デバイス製作所
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戸塚 正裕
三菱電機高周波光デバイス製作所
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佐々木 肇
三菱電機高周波光デバイス製作所
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國井 徹郎
三菱電機高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機高周波光デバイス製作所
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奥 友希
三菱電機高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機高周波光デバイス製作所
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塚原 良洋
三菱電機株式会社
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
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塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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小崎 克也
三菱電機株式会社
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奥田 康典
三菱電機株式会社
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川埜 肇
三菱電機株式会社
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塚原 良洋
三菱電機 高周波光デバイス製作所
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塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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宇土元 純一
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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吉田 直人
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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志賀 俊彦
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宇土元 純一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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小丸 真喜雄
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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北野 俊明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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中野 博文
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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中野 博文
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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服部 亮
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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中塚 茂典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)
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服部 亮
高周波光素子統括部
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巳浪 裕之
三菱電機株式会社
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竹内 日出雄
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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島田 好治
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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巳浪 裕之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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南條 拓真
三菱電機
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井澤 薫
三菱電機株式会社
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三井 康郎
三菱電機
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北野 俊明
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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島田 好治
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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竹内 日出雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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服部 亮
三菱電機株式会社
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南條 拓真
三菱電機株式会社
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石川 高英
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
高木 直
東北大学電気通信研究所
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
三井 康郎
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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河野 康孝
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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後藤 清毅
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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和泉 茂一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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奥 友希
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
服部 亮
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高野 博三
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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弥政 和宏
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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石川 高英
三菱電機
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太田 彰
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
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細川 義弘
ミヨシ電子株式会社
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
弥政 和宏
三菱電機株式会社
-
津山 祥紀
三菱電機株式会社
-
河野 康孝
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石川 高美
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
國井 徹朗
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
井澤 薫
株式会社サンエー
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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石川 高英
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
著作論文
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- 12 GHz帯内部整合高出力高効率HEMT
- Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
- C-10-1 ナイキスト判別法を用いたマルチセル合成FETの安定性解析
- C-2-21 F級および逆F級高効率増幅器における入力高調波負荷の影響
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Ka帯用 高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN-HEMT (特集 光・高周波デバイス)
- Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
- C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-2 高効率高電圧動作バランス型カスコードFET(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-2-8 F級及び逆F級増幅器を合成したDoherty増幅器の設計・試作(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化