石川 高英 | 三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
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概要
関連著者
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石川 高英
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
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石川 高英
三菱電機
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青柳 利隆
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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青柳 利隆
三菱電機株式会社
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石川 高英
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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石村 栄太郎
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中路 雅晴
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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中路 雅晴
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
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中路 雅晴
三菱電機株式会社
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石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社
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石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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綿谷 力
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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綿谷 力
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機(株)高周波デバイス製作所開発部
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柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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柳生 栄治
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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庵原 晋
三菱電機(株)高周波デバイス製作所
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柳生 栄治
三菱電機
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庵原 晋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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吉新 喜市
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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吉新 喜市
三菱電機先端技術総合研究所
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石村 栄太郎
三菱電機株式会社
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吉新 喜市
三菱電機
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綿谷 力
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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吉新 喜市
三菱電機 先端技総研
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太田 徹
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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大和屋 武
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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森田 佳道
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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大和屋 武
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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森田 佳道
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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森田 佳道
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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石村 栄太郎
三菱電機株
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大和屋 武
三菱電機株
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森田 佳道
三菱電機株
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斎藤 健
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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見上 洋平
三菱電機(株)高周波デバイス製作所
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柳楽 崇
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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斎藤 健
三菱電機株式会社
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斎藤 健
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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竹村 亮太
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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佐久間 仁
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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鈴木 大輔
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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斉藤 健
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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斎藤 健
三菱電機株式会社システムlsi開発研究所
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鈴木 大輔
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
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板倉 成孝
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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酒井 清秀
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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板倉 成孝
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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酒井 清秀
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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小丸 真喜雄
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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徳田 安紀
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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石川 高英
三菱電機 (株) 光マイクロ波デバイス開発研究所
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山下 榮吉
電気通信大学電子工学科
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山下 榮吉
電気通信大学
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天清 宗山
三菱電機株式会社
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徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
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酒井 清秀
三菱電機株式会社
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綿谷 力
光素子部
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斎藤 健
三菱電機株式会社:技術振研究組合光電子融合基盤技術研究所
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佐久間 仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 大輔
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 大輔
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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板倉 成孝
三菱電機(株)
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竹村 亮太
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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渡辺 伸介
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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塚原 良洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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後藤 清穀
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮國 晋一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宇土元 純一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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石田 多華生
三菱電機(株)マイクロ波デバイス開発研究所
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宇土元 純一
三菱電機高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
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瀧口 透
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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瀧口 透
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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鈴木 大輔
三菱電機(株)高周波光素子事業部光素子開発部
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塚原 良洋
三菱電機株式会社
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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塚原 良洋
三菱電機 高周波光デバイス製作所
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渡辺 伸介
三菱電機株式会社
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社
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塚原 良洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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境野 剛
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
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瀧口 透
三菱電機
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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高木 直
三菱電機株式会社
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久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
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國井 徹郎
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吉田 直人
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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志賀 俊彦
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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三井 康郎
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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星 裕之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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島 顕洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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武田 文雄
岡山理科大学工学部電子工学科
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久留須 整
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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早藤 紀生
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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早藤 紀生
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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星 裕之
三菱電機株式会社
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星 裕之
神奈川大学工学部
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小崎 克也
三菱電機(株)マイクロ波デバイス開発研究所
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志賀 俊彦
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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国井 徹郎
三菱電機株式会社
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三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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山本 佳嗣
三菱電機株式会社
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山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
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山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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笹畑 圭史
三菱電機株式会社
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島 顕洋
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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早藤 紀生
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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清野 清春
三菱電機株式会社
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池田 幸夫
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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服部 亮
高周波光素子統括部
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吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
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境野 剛
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
池田 幸夫
島田理化工業株式会社
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
山本 佳嗣
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
瀧口 透
三菱電機株式会社
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清野 清春
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
-
武田 文雄
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
-
小崎 克也
三菱電機株式会社
-
島 顕洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
-
境野 剛
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
柳楽 崇
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
-
島 顕洋
三菱電機株式会社
-
外間 洋平
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
笹畑 圭史
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
境野 剛
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
柳楽 崇
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
著作論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-25 100Gb/sイーサネット用1.3μm帯25Gb/s EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 基本波および高調波終端負荷を最適化した低位相雑音77GHz MMIC VCO(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-9 2.5Gbps光通信用ガードリングフリーAlInAs APD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- Ka帯中出力PHEMT MMIC増幅器
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 10G-EPON用L帯高出力EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25 / 43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変換器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 一電源化2〜18GHz帯モノリシック分布型増幅器
- 高調波負荷を最適化した高出力低位相雑音76GHz MMIC発振器(電子回路)
- 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高密度マイクロ波集積回路のための埋め込み型マイクロストリップ線路の試作
- 高密度マイクロ波集積回路のための埋め込み型マイクロストリップ線路の解析
- 埋め込み型マイクロストリップ線路のクロストーク解析
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- CS-6-3 アンクールドAlGaInAs系レーザの進展(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)