石村 栄太郎 | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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概要
関連著者
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石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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石村 栄太郎
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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青柳 利隆
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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中路 雅晴
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機株式会社
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石村 栄太郎
三菱電機株式会社
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中路 雅晴
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
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中路 雅晴
三菱電機株式会社
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
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石川 高英
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
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石川 高英
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機
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石村 栄太郎
三菱電機株
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綿谷 力
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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綿谷 力
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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杉立 厚志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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瀧口 透
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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瀧口 透
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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斉藤 健
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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斎藤 健
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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瀧口 透
三菱電機
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杉立 厚志
三菱電機株式会社
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斎藤 健
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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斎藤 健
三菱電機株式会社
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斎藤 健
三菱電機株式会社システムlsi開発研究所
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柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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庵原 晋
三菱電機(株)高周波デバイス製作所
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大和屋 武
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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森田 佳道
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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柳生 栄治
三菱電機
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庵原 晋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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大畠 伸夫
(財)光産業技術振興協会:2三菱電機株式会社
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柳生 栄治
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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大畠 伸夫
三菱電機株式会社
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柳楽 崇
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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杉立 厚志
三菱電機株式会社:技術振研究組合光電子融合基盤技術研究所
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境野 剛
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
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紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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有賀 博
三菱電機株式会社
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瀧口 透
三菱電機株式会社
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柳楽 崇
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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有賀 博
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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有賀 博
三菱電機株式会社:技術振研究組合光電子融合基盤技術研究所
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外間 洋平
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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有賀 博
三菱電機株式会社/技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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紫村 輝之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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柳楽 崇
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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島 顕洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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吉新 喜市
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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石川 高英
三菱電機株式会社
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石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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吉新 喜市
三菱電機先端技術総合研究所
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吉新 喜市
三菱電機
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島 顕洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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島 顕洋
三菱電機株式会社
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吉新 喜市
三菱電機 先端技総研
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外間 洋平
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
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山口 晴央
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
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鈴木 正人
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
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鈴木 正人
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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境野 剛
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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山口 晴央
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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外間 洋平
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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太田 徹
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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斎藤 健
三菱電機(株)
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大和屋 武
三菱電機(株)
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佐久間 仁
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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島 顕洋
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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斎藤 健
三菱電機株式会社:技術振研究組合光電子融合基盤技術研究所
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鈴木 大輔
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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西村 隆司
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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見上 洋平
三菱電機(株)高周波デバイス製作所
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松本 啓資
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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松本 啓資
三菱電機株式会社
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鈴木 大輔
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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森田 佳道
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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西村 隆司
三菱電機(株)光素子開発部
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佐久間 仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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青柳 利隆
三菱電機(株)高周波デバイス製作所開発部
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杉立 厚志
三菱電機 高周波光デバイス製作所
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大和屋 武
三菱電機株
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森田 佳道
三菱電機株
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杉立 厚志
三菱電機(株)
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花巻 吉彦
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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徳田 安紀
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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木村 達也
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
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木村 達也
三菱電機
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鈴木 大輔
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
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木村 達也
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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板倉 成孝
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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酒井 清秀
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
板倉 成孝
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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酒井 清秀
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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有賀 博
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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竹見 政義
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松本 啓資
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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大村 悦司
三菱電機(株)
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大村 悦司
三菱電機株式会社
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松本 啓資
財団法人 光産業技術振興協会:三菱電機株式会社
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大村 悦司
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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笹畑 圭史
三菱電機株式会社
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高木 和久
財団法人 光産業技術振興協会:三菱電機株式会社
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船場 真司
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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酒井 清秀
三菱電機株式会社
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綿谷 力
光素子部
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大村 悦司
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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鈴木 大輔
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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板倉 成孝
三菱電機(株)
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國次 恭宏
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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笹畑 圭史
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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山路 和樹
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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菊地 真人武
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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笹畑 圭史
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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丸田 章博
大阪大学 大学院工学研究科
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高松 伊織
大阪大学大学院工学研究科
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丸田 章博
大阪大学大学院工学研究科
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北山 研一
大阪大学大学院工学研究科
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宮崎 泰典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮崎 泰典
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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秋山 浩一
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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石村 栄太郎
光・マイクロ波デバイス開発研究所
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石村 栄太郎
高周波光素子事業統括部
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竹見 政義
三菱電機(株)
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高木 和久
三菱電機株式会社
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久 義浩
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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後藤田 光伸
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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秋山 浩一
三菱電機株式会社
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北山 研一
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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鈴木 大輔
三菱電機株式会社
-
久 義浩
三菱電機株式会社
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境野 剛
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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後藤田 光伸
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
久 義浩
三菱電機
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石村 栄太郎
三菱電機
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宮崎 泰典
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
石村 栄太郎
三菱電機株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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菊地 真人武
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
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北山 研一
大阪大学大学院
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
野田 雅樹
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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柴田 公隆
三菱電機
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宮原 利治
三菱電機(株)
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大畠 伸夫
三菱電機(株)
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岡田 規男
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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大和屋 武
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
森田 佳道
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山下 純一郎
三菱電機株式会社
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柴田 公隆
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
宮原 利治
(財)光産業技術振興協会:2三菱電機株式会社
-
柴田 公隆
三菱電機 高周波・光デバイス製作所
-
本島 邦明
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
白井 聡
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
樋口 英世
大阪電気通信大学大学院工学研究科
-
白井 聡
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
高林 正和
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
柳生 栄治
三菱電機株式会社
-
高木 和久
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
板垣 卓士
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大坪 睦之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
相賀 正夫
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
樋口 英世
三菱電機
-
樋口 英世
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
白井 聡
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
白井 聡
三菱電機株式会社
-
金子 進一
三菱電機株式会社
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岡田 規男
高周波光デバイス製作所
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鈴木 大輔
三菱電機(株)高周波光素子事業部光素子開発部
-
金子 進一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
宮原 利治
三菱電機株式会社 通信システム統括事業部
-
高木 和久
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
下村 健吉
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
竹見 政羲
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
長濱 弘毅
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
金子 進一
三菱電機 情報技総研
-
北山 忠善
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
足立 明宏
三菱電機株式会社
-
足立 明宏
三菱電機(株)電子システム研究所
-
下村 健吉
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
癸生川 典夫
三菱電機(株)情報技術総合研究所鎌倉製作所
-
綿谷 力
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
山下 純一郎
三菱電機 電子システム研
-
境野 剛
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮原 利治
三菱電機
-
下村 健吉
三菱電機株式会社
-
畠中 奨
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
岡田 規男
三菱電機株式会社
-
野田 雅樹
三菱電機株式会社
-
森田 圭道
三菱電機株式会社
-
相賀 正夫
三菱電機株式会社
-
柴田 公隆
三菱電機 高周波光デバイス製作所
-
板垣 卓士
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研
-
大畠 伸生
三菱電機株式会社
-
金子 進一
三菱電機
著作論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-9 2.5Gbps光通信用ガードリングフリーAlInAs APD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
- 利得結合DFBレーザの2.5Gb/s,100km伝送特性
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- C-4-28 3次元電磁界解析による10Gbpsφ3.8mmCAN-LDの高周波応答シミュレーション(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 多層反射膜/半絶縁性InP窓層プレーナ型PDの低歪特性
- 半絶縁性 InP 窓層/多層反射膜を有するプレーナ構造高速 InGaAs-PD
- 半絶縁性InP窓層/多層反射膜付プレーナ型PDの暗電流特性
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 2.4Gbit/sEA変調器集積LD光送受信器モジュール
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 光FDM用小形アレイLDモジュール
- C-4-26 新型プレーナAlInAs-APDの高耐湿特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 40Gbps 導波路型フォトダイオード (特集 光・高周波デバイス)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- C-4-14 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-92 SOA-MZI型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-10 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大波長変換器の10.3Gbps動作実証(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-24 10G-EPON OLT用トリプレクサモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 10Gbps用低雑音AlInAs アバランシェ・フォトダイオード (特集 光・高周波デバイス)
- SOA-MZI型波長変換器を用いた縦続接続可能な全光XORゲート(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-8 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大43Gbps波長変換器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-6 フォトダイオードの長期信頼性(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10G-EPON用APDの開発
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ