10G-EPON用APDの開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-06-23
著者
-
石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
中路 雅晴
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
杉立 厚志
三菱電機(株)
-
庵原 晋
三菱電機(株)高周波デバイス製作所
-
佐久間 仁
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
鈴木 大輔
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
國次 恭宏
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
笹畑 圭史
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
山路 和樹
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
菊地 真人武
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
鈴木 大輔
三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所
関連論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-9 2.5Gbps光通信用ガードリングフリーAlInAs APD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-3-42 ガードリングフリー型高速・低雑音AlInAsアバランシェフォトダイオード(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
- 利得結合DFBレーザの2.5Gb/s,100km伝送特性
- C-4-13 80℃動作43Gbit/s PD-TIAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 100Gbpsイーサネット光受信モジュール用4ch-WDM光学系の開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- CHES2003会議報告
- CHES 2002 会議報告
- CHES2002会議報告
- エキシマレーザー加工用転写光学系の開発
- フォトニック結晶線欠陥レーザー
- 780nm帯窓構造高出力レーザ
- EB直描回折格子を用いたDFBレーザの発振波長制御
- C-4-28 3次元電磁界解析による10Gbpsφ3.8mmCAN-LDの高周波応答シミュレーション(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-14-9 高RF出力同軸型PDモジュール(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-19 高RF出力InGaAs/InP pin-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- CI-1-5 光ファイバ通信向けTOSA/ROSA技術(CI-1.ユビキタスネットワークを支える次世代光コンポーネント・実装技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 多層反射膜/半絶縁性InP窓層プレーナ型PDの低歪特性
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 半絶縁性 InP 窓層/多層反射膜を有するプレーナ構造高速 InGaAs-PD
- 半絶縁性InP窓層/多層反射膜付プレーナ型PDの暗電流特性
- 10Gbpsプラガブル光送受信器の熱設計(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 10Gbpsプラガブル光送受信器の熱設計(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 10Gbpsプラガブル光送受信器の熱設計(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 10Gbpsプラガブル光送受信器の熱設計(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 2.4Gbit/sEA変調器集積LD光送受信器モジュール
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高感度2.5/10Gbps InAlAsアバランシェ・フォトダイオード (特集 高周波・光デバイス)
- 光FDM用小形アレイLDモジュール
- C-4-26 新型プレーナAlInAs-APDの高耐湿特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 40Gbps DPSK光通信用バランストフォトダイオード
- 40Gbps 導波路型フォトダイオード (特集 光・高周波デバイス)
- C-3-138 1.3/1.55μm 帯兼用 40Gbit/s PD プリアンプモジュール
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- DPAのリークモデル構築と論理シミュレーションによる評価
- データマスクを利用したDPA対策に対する攻撃
- DPAのリークモデル構築と論理シミュレーションによる評価
- 高RF出力PDモジュール (特集 高周波・光デバイス)
- C-4-14 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-92 SOA-MZI型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-10 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大波長変換器の10.3Gbps動作実証(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-24 10G-EPON OLT用トリプレクサモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 10Gbps用低雑音AlInAs アバランシェ・フォトダイオード (特集 光・高周波デバイス)
- SOA-MZI型波長変換器を用いた縦続接続可能な全光XORゲート(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-8 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大43Gbps波長変換器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-6 フォトダイオードの長期信頼性(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10G-EPON用APDの開発
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- BI-1-2 サイドチャネル攻撃と最近の研究動向(BI-1.安全・安心な情報通信会社を実現する電磁情報セキュリティ評価・対策技術,依頼シンポジウム,ソサエティ企画)
- 8.2 セキュリティLSIに対するタンパリングの手法(第8章:セキュリティ,ディペンダブルVLSIシステム)