半絶縁性InP窓層/多層反射膜付プレーナ型PDの暗電流特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
10Gbps対応の受光素子として、ボンディングパッド部の容量を低減するために半絶縁性InPを窓層に用いた高速・高効率のプレーナ型InGaAs-PDを試作した。本報告では、暗電流の測定結果及び通電試験結果から窓層に半絶縁性InPを用いた場合も低暗電流でかつ信頼性のよいPDが得られることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
青柳 利隆
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
松本 啓資
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
大村 悦司
三菱電機(株)
-
瀧口 透
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
瀧口 透
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
大村 悦司
三菱電機株式会社
-
松本 啓資
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
木村 達也
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
青柳 利隆
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
松本 啓資
財団法人 光産業技術振興協会:三菱電機株式会社
-
大村 悦司
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
松本 啓資
三菱電機株式会社
-
船場 真司
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大村 悦司
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
木村 達也
三菱電機
-
瀧口 透
三菱電機
-
木村 達也
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
関連論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-16 10Gbps-80km光トランシーバ用高光出力・低チャープEAM-LD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-9 2.5Gbps光通信用ガードリングフリーAlInAs APD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- DVD-R/RW用高出力赤色LD(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- 980nmポンプレーザの波長変化抑制 : メトロネットワーク用980nmポンプレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- SC-6-2 CWDM 用λ/4 位相シフト DFB レーザ
- 40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 40Gbps伝送用低チャーブ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器
- C-3-46 非対称量子井戸吸収層を用いた低チャープEA変調器
- 20Gbps伝送用変調器集積型DFB-LD
- 電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
- 利得結合DFBレーザの2.5Gb/s,100km伝送特性
- C-4-16 ファイバアンプ(PDFA)励起用1020nm高出力半導体レーザ
- 1.55μm帯ファブリペロー半導体レーザのモードロック動作
- C-4-31 10G-EPON ONU用光モジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 全MOCVD成長による1.48μm帯高出力レーザの信頼性
- 高ファイバ内光出力0.98μm半導体レーザ
- 780nm帯窓構造高出力レーザ
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- 傾斜型回折格子を有するλ/4位相シフト型DFBレーザ
- C-4-28 3次元電磁界解析による10Gbpsφ3.8mmCAN-LDの高周波応答シミュレーション(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 多層反射膜/半絶縁性InP窓層プレーナ型PDの低歪特性
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 半絶縁性 InP 窓層/多層反射膜を有するプレーナ構造高速 InGaAs-PD
- 半絶縁性InP窓層/多層反射膜付プレーナ型PDの暗電流特性
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 2.4Gbit/sEA変調器集積LD光送受信器モジュール
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 10Gbit/s識別器用広帯域バッファの検討
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- FP型レーザの変調歪の分散劣化低減の検討
- 温度無調整型CATV用DFBレーザ
- 光FDM用小形アレイLDモジュール
- C-4-26 新型プレーナAlInAs-APDの高耐湿特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 40Gbps 導波路型フォトダイオード (特集 光・高周波デバイス)
- 表面実装型プリアンプ内蔵PDモジュール
- 広温度範囲動作1.3μm帯CATV用DFBレーザ
- レーザー
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- CS-6-3 アンクールドAlGaInAs系レーザの進展(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- アナログ伝送用DFB-LD
- CS-3-2 アンクールドAlGaInAs系レーザの今後の展開(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 100Gbpsイーサネット光送信用4波長25.8Gbps直接変調DFB-LD (特集 高周波・光デバイス)
- C-4-14 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-92 SOA-MZI型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-10 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大波長変換器の10.3Gbps動作実証(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-24 10G-EPON OLT用トリプレクサモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 10Gbps用低雑音AlInAs アバランシェ・フォトダイオード (特集 光・高周波デバイス)
- SOA-MZI型波長変換器を用いた縦続接続可能な全光XORゲート(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- 2.5Gbps変調器集積型半導体レ-ザ (特集"半導体")
- C-4-8 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大43Gbps波長変換器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-6 フォトダイオードの長期信頼性(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10G-EPON用APDの開発
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ