C-4-16 10Gbps-80km光トランシーバ用高光出力・低チャープEAM-LD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-07
著者
-
太田 徹
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
青柳 利隆
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
柴田 公隆
三菱電機
-
大和屋 武
三菱電機(株)
-
宮崎 泰典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
柴田 公隆
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
宮崎 泰典
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
松本 啓資
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
蔵本 恭介
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
西村 隆司
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
柴田 公隆
三菱電機 高周波・光デバイス製作所
-
松本 啓資
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
青柳 利隆
三菱電機株式会社
-
青柳 利隆
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
松本 啓資
財団法人 光産業技術振興協会:三菱電機株式会社
-
大和屋 武
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
松本 啓資
三菱電機株式会社
-
西村 隆司
三菱電機(株)光素子開発部
-
宮崎 泰典
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
柴田 公隆
三菱電機 高周波光デバイス製作所
関連論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高出力擬似回折限界テーパ型光増幅器
- C-4-3 引張り歪非対称量子井戸構造43Gbit/sEA変調器集積DFB-LDの40℃動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 11.1Gbps-80km伝送用セミクールドEAM-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-9 高出力擬似回折限界テーパ型レーザ増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- テーパ型レーザ増幅器と光ファイバ回折格子制御レーザによるハイブリッド・MOPAの1064nm高出力動作(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- マイクロプロジェクター用638nm単一横モードLD(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-16 10Gbps-80km光トランシーバ用高光出力・低チャープEAM-LD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-9 2.5Gbps光通信用ガードリングフリーAlInAs APD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- DVD記録用660nm帯赤色LDの高出力化
- 記録型DVD用赤色LDの高出力化
- DVD-R/RW用高出力赤色LD(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- SC-6-2 CWDM 用λ/4 位相シフト DFB レーザ
- 40Gbps波長変換デバイス (特集 高周波・光デバイス)
- 10.7Gbit/s低消費電力Cooled TOSAの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 10.7Gbit/s低消費電力 Cooled TOSA の開発
- ECOC2006報告 : 光アクティブデバイス関連(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- ECOC2006報告 : 光アクティブデバイス関連
- 40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-21 40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 10Gbps-80km伝送用高出力変調器付きLD (特集 光・高周波デバイス)
- ECOC2005報告 : 光アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 10Gbps-80km伝送用高光出力・低チャープEAM-LD(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 高速光変調器シミュレーション技術 (特集 光・高周波デバイス)
- 40Gbps伝送用低チャーブ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器
- C-3-1 40Gbit/s ドライバ IC 内蔵 EA 変調器モジュールの開発
- フリップチップ実装を適用した40Gbit/s光モジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装を適用した40Gbit/s光モジュール
- C-3-46 非対称量子井戸吸収層を用いた低チャープEA変調器
- 20Gbps伝送用変調器集積型DFB-LD
- 電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
- 利得結合DFBレーザの2.5Gb/s,100km伝送特性
- 900nm帯高出力半導体レーザの開発
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- 40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-28 3次元電磁界解析による10Gbpsφ3.8mmCAN-LDの高周波応答シミュレーション(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 小型プロジェクタ用640nm帯高出力半導体レーザ
- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 多層反射膜/半絶縁性InP窓層プレーナ型PDの低歪特性
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 半絶縁性 InP 窓層/多層反射膜を有するプレーナ構造高速 InGaAs-PD
- 半絶縁性InP窓層/多層反射膜付プレーナ型PDの暗電流特性
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- フリップチップ実装を適用した40Gbit/s光モジュール
- フリップチップ実装を適用した40Gbit/s光モジュール
- EA変調器集積LDを用いた海底WDM用5Gb/s RZ光送信器
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- B-10-92 長距離伝送対応XENPAKモジュールの開発(B-10. 光通信システムB(光通信), 通信2)
- FP型レーザの変調歪の分散劣化低減の検討
- アンテナ給電用薄型光モジュール
- アンテナ給電用薄型光モジュール
- C-3-14 メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- C-3-9 アンテナ給電用薄型光モジュール
- 光アナログリンク用EA変調器モジュール
- 光アナログリンク用EA変調器モジュール
- 広帯域WDMシステム用EA変調器モジュール
- 光アナログリンク用EA変調器モジュール
- C-4-26 新型プレーナAlInAs-APDの高耐湿特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 表面実装型プリアンプ内蔵PDモジュール
- 広温度範囲動作1.3μm帯CATV用DFBレーザ
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- CS-3-2 アンクールドAlGaInAs系レーザの今後の展開(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 2.5Gbps変調器集積型半導体レ-ザ (特集"半導体")