1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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引張り歪非対称量子井戸を持つ1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積LDを実現し、優れた帯域と変調特性を得た。25.8Gb/sでチップ端OMA6.8dBm、消光比8.3dB、Ethemetマスクマージン50%の良好な特性が得られ、10km伝送後も明瞭なアイ開口を確認した。また、43.0Gb/sでもチップ端出力5.0dBm、消光比9.2dB、SONETマスクマージン13%、40km伝送ペナルティ-0.5dBの良好な特性が得られ、100Gイーサネット及び40Gb/s-10/40km用途に有望であることが示された。
- 2011-01-20
著者
-
石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
綿谷 力
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
石村 栄太郎
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
綿谷 力
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
斎藤 健
三菱電機(株)
-
大和屋 武
三菱電機(株)
-
斎藤 健
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島 顕洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島 顕洋
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大和屋 武
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
森田 佳道
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
石村 栄太郎
三菱電機株式会社
-
島 顕洋
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
斉藤 健
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
斎藤 健
三菱電機株式会社
-
斎藤 健
三菱電機株式会社:技術振研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
斎藤 健
三菱電機株式会社システムlsi開発研究所
-
斎藤 健
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
島 顕洋
三菱電機株式会社
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