RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFB-LDにRuドープInP電流ブロック層を採用した。その結果十分な光出力と25,8Gbps直接変調での大きなマスクマージンを、従来のFeドープInP埋込型DFB-LDよりも10℃高い60℃で実現し、100Gb Ethernet規格の一つである100GBASE-LR4規格の高速動作を確認した。
- 2012-01-19
著者
-
石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
杉立 厚志
三菱電機株式会社
-
紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
杉立 厚志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
瀧口 透
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
瀧口 透
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
柳楽 崇
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
石村 栄太郎
三菱電機株式会社
-
瀧口 透
三菱電機株式会社
-
柳楽 崇
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
外間 洋平
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
外間 洋平
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
-
山口 晴央
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
-
鈴木 正人
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
-
境野 剛
三菱電機株式会社高周波デバイス製作所
-
瀧口 透
三菱電機
-
紫村 輝之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 正人
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
境野 剛
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
山口 晴央
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
外間 洋平
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
石村 栄太郎
三菱電機株
-
柳楽 崇
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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