電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
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概要
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電界吸収型(Electro absorption:EA)光変調器とDFBレーザを集積したデバイスは、次世代の幹線系光伝送システムへの応用が期待されている。10Gb/s伝送用のデバイスでは、変調器の低容量化のためにFeドーブInP等の半絶縁層とn-InPホールトラップ層からなる電流狭窄構造が用いられている。このn-InPホールトラップ層は抵抗が低いため、レーザ部への変調信号の漏洩経路となるので変調器-DFBレーザ間の不要なホールトラップ層は除去する必要があった。今回、ホールトラップ層を半絶縁性(S.I.)層中に設けた電流狭窄構造を持つ変調器付きDFBレーザを作製し、より簡素なプロセスを用いても、変調器とDFB-LD間の電気的アイソレーション及び変調帯域幅の良好なデバイスが得られることを確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
石村 栄太郎
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
青柳 利隆
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
宮崎 泰典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
竹見 政義
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮崎 泰典
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
竹見 政義
三菱電機(株)
-
大村 悦司
三菱電機(株)
-
大村 悦司
三菱電機株式会社
-
木村 達也
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
久 義浩
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
板垣 卓士
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大坪 睦之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
青柳 利隆
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大村 悦司
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
久 義浩
三菱電機株式会社
-
久 義浩
三菱電機
-
大村 悦司
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
木村 達也
三菱電機
-
宮崎 泰典
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
板垣 卓士
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開研
-
木村 達也
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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