40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光送信機用変調光源には,広変調帯域幅,高出力光強度,高消光比,良好な出力光波形,低伝送ペナルティの両立を要求される`電界吸収型光変調器(EAM)は超高速光送信機の小型化に有用な半導体デバイスであるが,従来は40Gbpsにおいてこれらを両立した報告はなかった.今回,EAMに,(1)キャパシタンス低減に有利な半絶縁性基板,(2)高光出力時低チャープ動作が可能な伸張歪非対称量子井戸吸収層,を用いて40Gbpsにおける低チャープ・高光出力動作を初めて実現した.更に(3)EA変調器モジュールにドライバICを内蔵し,同軸ケーブルやコネクタによる高周波特性悪化を抑えた.その結果,EA変調器モジュールとしてITU-TG.693規格(出力光強度,アイマスク規定,消光比,伝送ペナルティ)を満たすことを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-18
著者
-
青柳 利隆
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮原 利治
三菱電機株式会社
-
八田 竜夫
三菱電機株式会社
-
岡田 規男
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
宮崎 泰典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮原 利治
(財)光産業技術振興協会:2三菱電機株式会社
-
大村 悦司
三菱電機株式会社
-
宮崎 泰典
三菱電機株式会社
-
菅井 貴義
三菱電機株式会社
-
多田 仁史
三菱電機株式会社
-
高木 和久
三菱電機株式会社
-
青柳 利隆
三菱電機株式会社
-
青柳 利隆
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大村 悦司
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
岡田 規男
高周波光デバイス製作所
-
宮原 利治
三菱電機株式会社 通信システム統括事業部
-
高木 和久
財団法人 光産業技術振興協会:三菱電機株式会社
-
高木 和久
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
岡田 規男
三菱電機 情報技総研
-
大村 悦司
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宮原 利治
三菱電機
-
宮崎 泰典
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
岡田 規男
三菱電機株式会社
関連論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- B-10-78 半導体光増幅器に基づく3分岐型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (光エレクトロニクス)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (フォトニックネットワーク)
- C-3-32 入力ダイナミックレンジを拡大した43Gbps用波長変換器の開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 100Gb/sイーサネット用1.3μm帯25Gb/s EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 引張り歪非対称量子井戸構造43Gbit/sEA変調器集積DFB-LDの40℃動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 11.1Gbps-80km伝送用セミクールドEAM-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 短距離通信用40Gbpsトランスポンダー(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 波長変換を用いた光バーストスイッチングノードとその多段接続性について((フォトニック)IPネットワーク技術,(光)ノード技術,WDM技術,一般)
- 波長変換を用いた光バーストスイッチングノードとその多段接続性について
- 高速光スイッチと共有型波長変換器を用いた光バーストスイッチングノードの開発(フォトニックネットワーク(IP+オプティカル)システム, 光ルーティング技術, 一般)
- C-3-42 ガードリングフリー型高速・低雑音AlInAsアバランシェフォトダイオード(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-10 ポリマ導波路光スイッチの回転駆動機構の検討(光スイッチ(II),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- BCS-1-6 半導体双安定レーザフリップフロップを用いた光パケットスイッチング技術(BCS-1,フォトニックネットワークを支える光スイッチ技術,シンポジウム)
- BCS-1-6 半導体双安定レーザフリップフロップを用いた光パケットスイッチング技術(BCS-1.フォトニックネットワークを支える光スイッチ技術,シンポジウム)
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps波長変換デバイス (特集 高周波・光デバイス)
- 10.7Gbit/s低消費電力Cooled TOSAの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 10.7Gbit/s低消費電力 Cooled TOSA の開発
- 40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-21 40Gbit/s NRZ光波長変換モジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 10Gbps-80km伝送用高光出力・低チャープEAM-LD(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器
- C-3-1 40Gbit/s ドライバ IC 内蔵 EA 変調器モジュールの開発
- フリップチップ実装を適用した40Gbit/s光モジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フリップチップ実装を適用した40Gbit/s光モジュール
- 20Gbps伝送用変調器集積型DFB-LD
- C-4-4 43Gbit/sドライバ内蔵EAM-LDモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 80℃動作43Gbit/s PD-TIAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 10G-EPON ONU用光モジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- EMD2000-52 / CPM2000-67 / OPE2000-64 / LQE2000-58 ATM-PON ONU用光送受信モジュールの低クロストーク化の検討
- ATM-PON ONU用光送受信モジュールの作製
- ATM-PON ONU用光送受信モジュールの低クロストーク化に関する検討
- ATM-PON ONU用光送受信モジュールのモールド化に関する検討
- メカニカル光スイッチ用光学系に関する検討
- C-4-18 10G-EPON用L帯高出力EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gbit/s非冷却LDモジュールの給電回路の検討(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- B-10-64 低コスト10Gbit/s非冷却LDモジュールの開発(B-10.光通信システムB(光通信), 通信2)
- 短距離通信用40Gbpsトランスポンダー(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 短距離通信用40Gbpsトランスポンダー(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 短距離通信用40Gbpsトランスポンダー(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 光バースト信号の一定利得増幅とその波長変換への影響の実験的評価(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- 2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- 2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- C-4-31 光アシスト光源を集積化した波長変換器素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-15 非冷却 980nm 高出力 LD モジュール
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- C-14-23 高速光モジュールにおけるパッケージ共振の影響の検討
- メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- 1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25 / 43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変換器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-14-9 高RF出力同軸型PDモジュール(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング
- CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 半導体レーザ励起1.3μm帯光ファイバ増幅器
- 半導体レーザ励起1.3μm帯光ファイバ増幅器
- フリップチップ実装を適用した40Gbit/s光モジュール
- フリップチップ実装を適用した40Gbit/s光モジュール
- C-3-19 フリップチップ実装技術を用いた 40Gbit/s プリアンプ IC 内蔵 PD モジュール
- 1.3μm帯光ファイバ増幅器の多波長増幅特性
- 1.31μm帯光増幅器の多波長増幅特性
- C-3-47 In/Pb系フッ化物PDFAを用いた1.3μm帯光ファイバレーザ
- アンテナ給電用薄型光モジュール
- アンテナ給電用薄型光モジュール
- C-3-14 メタルコートファイバを用いたファイバアライメント法
- C-3-9 アンテナ給電用薄型光モジュール
- アンテナ給電用薄型LDモジュール
- B-10-138 40Gbit/s トランスポンダの開発
- 980nmポンプLDモジュールの小型・高出力化
- CS-6-3 アンクールドAlGaInAs系レーザの進展(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- CS-3-2 アンクールドAlGaInAs系レーザの今後の展開(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 長周期ファイバグレーティングの曲げによる温度補償法
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)