高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))

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概要

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• マイクロ波光伝送用のPDとして,大口径かつ低容量な高RF出力p-i-n PDを開発した.発熱密度を低減するためにPDの受光面積を拡大し,増加した素子容量を低減するために空乏層厚を最適化することで,受光径直径70μmのPDで3dB帯域7GHzを得た.また,受光面積の拡大により200mA以上の大光電流を流すことが可能となり,周波数5GHzにおいてRF出力29.0dBmを得た.3次相互変調歪による出力インターセプトポイント(OIP3)は37dBmと良好な特性であった.

• 2009-10-15

著者

• 中路 雅晴

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 酒井 清秀

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 板倉 成孝

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 酒井 清秀

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 石村 栄太郎

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 中路 雅晴

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 青柳 利隆

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 青柳 利隆

  三菱電機株式会社

• 青柳 利隆

  三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 青柳 利隆

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 板倉 成孝

  三菱電機株式会社

• 半野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 石村 栄太郎

  三菱電機株式会社

• 中路 雅晴

  三菱電機株式会社

• 酒井 清秀

  三菱電機株式会社

• 青柳 利隆

  三菱電機(株)高周波デバイス製作所開発部

• 中路 雅晴

  三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所

• 石村 栄太郎

  三菱電機株

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