100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
4chフォトダイオードアレイと4波長分離WDMフィルタを集積した一体型の100Gbpsイーサネット用光受信モジュールの光学系を開発した。薄膜バンドパスフィルタ一体型空間光学系を採用することにより、0.8dB以下の低い挿入損失、20dB以上の高アイソレーション、8mm×5mmの小型な4ch分離光学系を実現した。
- 2010-08-19
著者
-
中路 雅晴
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
中路 雅晴
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
杉立 厚志
三菱電機株式会社
-
有賀 博
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
-
有賀 博
三菱電機株式会社
-
竹村 亮太
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
秋山 浩一
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
杉立 厚志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
板本 裕光
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
西川 智志
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
望月 敬太
三菱電機株式会社
-
堀口 裕一郎
三菱電機株式会社
-
竹村 亮太
三菱電機株式会社
-
秋山 浩一
三菱電機株式会社
-
板本 裕光
三菱電機株式会社
-
中路 雅晴
三菱電機株式会社
-
望月 敬太
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
杉立 厚志
三菱電機株式会社:技術振研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
有賀 博
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
竹村 亮太
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
堀口 裕一郎
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
関連論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- B-10-78 半導体光増幅器に基づく3分岐型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-26 100Gイーサネット用25.8/28Gbps EAM-LDモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 放電中にアーク状放電が含まれないKrFエキシマレーザ発振器の開発と寿命特性
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-9 2.5Gbps光通信用ガードリングフリーAlInAs APD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-3-42 ガードリングフリー型高速・低雑音AlInAsアバランシェフォトダイオード(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-55 回転駆動式ポリマ導波路光スイッチの回転角度検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-10 ポリマ導波路光スイッチの回転駆動機構の検討(光スイッチ(II),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 10.7Gbit/s低消費電力Cooled TOSAの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 10.7Gbit/s低消費電力 Cooled TOSA の開発
- C-4-4 43Gbit/sドライバ内蔵EAM-LDモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 80℃動作43Gbit/s PD-TIAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 10G-EPON ONU用光モジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 100Gbpsイーサネット光受信モジュール用4ch-WDM光学系の開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 シリアル40Gbpsイーサネット用1.3μm EML TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- エキシマレーザー加工用転写光学系の開発
- 量産用KrFエキシマレーザの開発
- 10Gbit/s非冷却LDモジュールの給電回路の検討(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- B-10-64 低コスト10Gbit/s非冷却LDモジュールの開発(B-10.光通信システムB(光通信), 通信2)
- C-3-83 アクチュエータを実装した回転駆動式ポリマ導波路光スイッチ(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- 2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- 2.5〜40Gbit/s NRZ 動作可能な波長変換器の開発(MP(Lambda)S, フォトニックネットワーク/制御,光波長変換・スイッチング,一般)
- C-4-31 光アシスト光源を集積化した波長変換器素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-15 非冷却 980nm 高出力 LD モジュール
- C-3-72 ポリマー導波路フィルムを用いた光スイッチに関する検討
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- ホログラムビーム照射光学系による長周期ファイバーグレーティングの製作(2)-UV光前照射法による水素処理光感度一定化-
- ホログラムビーム照射光学系による長周期ファイバーグレーティングの製作
- C-3-56 屈折率グレーティングの経時変化解析
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-14-9 高RF出力同軸型PDモジュール(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-19 高RF出力InGaAs/InP pin-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- CI-1-5 光ファイバ通信向けTOSA/ROSA技術(CI-1.ユビキタスネットワークを支える次世代光コンポーネント・実装技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-3-42 4チャネルWDM DEMUXを内蔵した100Gbpsイーサネット用光受信モジュールの開発(光インターコネクション・光モジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 高感度2.5/10Gbps InAlAsアバランシェ・フォトダイオード (特集 高周波・光デバイス)
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- C-4-26 新型プレーナAlInAs-APDの高耐湿特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 40Gbps DPSK光通信用バランストフォトダイオード
- 40Gbps 導波路型フォトダイオード (特集 光・高周波デバイス)
- C-3-138 1.3/1.55μm 帯兼用 40Gbit/s PD プリアンプモジュール
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 40Gbps光通信用導波路型PD
- 長周期ファイバグレーティングの曲げによる温度補償法
- 高RF出力PDモジュール (特集 高周波・光デバイス)
- C-4-13 超高精細映像伝送用25Gbps光リンクの提案(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-92 SOA-MZI型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-10 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大波長変換器の10.3Gbps動作実証(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-24 10G-EPON OLT用トリプレクサモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-60 面内テーパ構造による厚み方向Si導波路スポットサイズ変換器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gbps用低雑音AlInAs アバランシェ・フォトダイオード (特集 光・高周波デバイス)
- SOA-MZI型波長変換器を用いた縦続接続可能な全光XORゲート(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-8 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 10G-EPON用APDの開発
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ